高效HIT太阳能光伏锂离子电池技术调研
HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的缩写,意为本征薄膜异（膜厚5～10nm）质结.HIT太阳能电池是以光照耀侧的p/i型a-Si膜和反面侧的i/n型a-Si膜（膜厚5～10nm）夹住单结晶Si片的来构成的.
HIT太阳能光伏电池结构
HIT太阳能光伏电池基板以硅基板为主；在硅基板上沉积高能隙(Energybandgap)的硅奈米薄膜，表层再沉积通明导电膜，背外表有着背外表电场。经过优化硅的外表织构，可以下降通明导电氧化层（TCO）和a-Si层的光学吸收损耗。HIT太阳能光伏电池按捺了p型、i型a-Si的光吸收率，而增强n型c-Si的光吸收率。
HIT太阳能光伏电池在技术上的优势
因为储能电池加工企业生产的HIT太阳能电池运用a-Si构成pn结，所以可以在200℃以下的低温完结整个工序。和原来的热扩散型的结晶太阳电池的构成温度（～900℃）相比较，大幅度地下降了制造工艺的温度。因为这种对称结构和低温工艺的特点，减少了因热量或许膜构成时出现的Si晶片的变形和热损伤，对实现晶片的轻薄化和高效化来说是有利的，具有业界抢先的高转化效率（研究室水平为23％，量产水平为20％），即使在高温下，转化效率也极少下降，使用双面单元来进步发电量。
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